MMBT5551LT1G دیتاشیت

MMBT5551LT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT5551LT1G
حجم فایل 89.394 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت MMBT5551LT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MMBT5551LT3G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه